InSiOx
链式单面二氧化硅祛除

      InSiOx 可通过单面刻蚀祛除电池片单面加热形成的SiO2层,并保留另一面的氧化层,如高效电池片的钝化层。该系统卓越的可调整性,使它同样适用于钻孔硅片,如EWT电池片的制造。与InPolishInOxSide设备相结合,RENA为您提供全套的背面钝化电池工具集。

优势及特性:

  • 可实现背面钝化电池工艺方案
  • 链式单面工艺: 
    -RENA始创工艺技术
    -达到前表面无掩膜要求
    -简易的全自动化集成,并可与RENA其他链式设备想结合

ARENA

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电池片前端链式技术
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